ldo(ldo电路)

　　

LDO 和dcdc的差异

　　LDO 只能降压 　　DC-DC主要有buck【降压】,boost【升压】,buck-boost【升降压】三种【还有一些是从这3种演化来的】 　　LDO在效率方面有个问题，就是它的效率大约等于输出电压比输入电压，所以当输出电压和输入电压相差较大时，效率低。 　　而DC-DC的效率就比较高了。重载时可以到96，轻载80以上。 　　一般来说，LDO的纹波比DC-DC小。 　　如果是需要3.3V的电压，我用LDO 实现和用DCDC转换实现，有什么不同？ 　　如上所述，用LDO的话，输入电压不能低于3.3V。而DC-DC要看你用什么结构了。 　　具体用LDO还是DC-DC，或者是两者结合使用，都是要看具体应用的。 　　就像手机的电源管理芯片，它里面是3种都用的【LDO,DC-DC,Charge pump】,分别向不同的功能模块提供电压。 　　

开关电源和LDO的区别

　　LDO是线性直流稳压电源，DC/DC是开关型直流稳压电源。 　　首先二者的稳压机理不同。 　　线性电源【LDO】是通过调整管的阻抗变化使输出电压保持稳定，当输出电压由于输入电压升高或负载电流减小而出现输出电压偏离设定值而升高的趋势时，通过负反馈使调整管的阻抗增大，从而降低输出电压使之恢复设定值而保持稳定，当输入电压降低或负载电流增大而出现输出电压偏离设定值而降低的趋势时，则通过负反馈使调整管的阻抗减小，从而提高输出电压使之恢复设定值而保持稳定。 　　开关稳压电源【DC/DC】是通过开关电路输出占空比或频率可调的脉冲，通过高频整流管、电感、电容形成知流输出电压，通过改变占空比或频率而调整输出电压。 　　从性能指标上看，线性电源【LDO】的输出电压纹波小，但是在输入电压和输出电压相差较大时转换效率较低，只能降压不能升压； 　　开关稳压电源【DC/DC】的纹波略大，但是在输入电压和输出电压相差较大时转换效率较高，并且能实现升压输出。 　　

浅谈LDO和DC/DC电源的区别

　　IDO即线性直流稳压电源，从效果上说，它的主要优点是输出电压纹波小，主要缺点是在输入-输出电压差较大的情况下效率低； 　　DC-DC即开关稳压电源，主要优点是在输入-输出电压差较大的情况下转换效率高，还可以实现升压和反相，主要缺点是输出电压带有一定的纹波。 　　

LDO到底是个稳压器还是降压电路？

　　LDO是low dropout regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3V以上，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况，才有了LDO类的电源转换芯片。 　　LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的 　　LDO【低压降】稳压器通常使用功率晶体管【也称为传递设备】作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。 　　更新的发展使用 CMOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 CMOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。 　　DCDC的意思是直流变【到】直流【不同直流电源值的转换】，只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器， 　　包括LDO。但是一般的说法是把直流变【到】直流由开关方式实现的器件叫DCDC。 　　LDO是低压降的意思，这有一段说明：低压降【LDO】线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小， 　　这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压 　　器可达到以下指标：输出噪声30μV，PSRR为60dB，静态电流6μA【TI的TPS78001达到Iq=0.5uA】，电压降只有100mV(TI量产了号称0.1mV的LDO)。 LDO线性稳 　　压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线 　　性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消 　　耗的电流；另一方面，采用PNP晶体管的电路中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力 　　， 输入和输出之间的电压降不可以太低；而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻 　　的乘积。由于MOSFET的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低。 　　

LDO如何选型

　　选择 LDO 的方法： 　　便携应用在基本条件之外提出更多要求。 　　在选择低压降线性调节器(LDO) 时，需要考虑的基本问题包括输入电压范围、预期输出电压、负载电流范围以及其封装的功耗能力。但是，便携式应用需要考虑更多问题。接地电流或静态电流 【IGND 或 IQ】、电源波纹抑止比 (PSRR)、噪声与封装大小通常是为便携式应用决定最佳 LDO 选择的要素。 　　输入、输出以及降低电压： 　　选择输入电压范围可以适应电源的LDO。下表列出了便携式设备所采用的、流行的电池化学物质的电压范围。 在确定 LDO 是否能够提供预期输出电压时，需要考虑其压降。输入电压必须大于预期输出电压与特定压降之和，即 VIN > VOUT + VDROPOUT。如果 VIN 降低至必需的电压以下，则我们说 LDO 出现"压降"，输出等于输入减去旁路元件 (pass element) 的 RDS(on) 乘以负载电流。 　　需要注意压降时的性能变化。驱动旁路晶体管的误差放大器完全打开或者出于"待发状态"(cocked)，因此不产生任何环路增益。这意味着线路与负载调节很差。另外，PSRR 在压降时也会显著降低。 　　选用可提供预期输出电压的 LOD 作为节省外部电阻分压器成本与空间的固定选项，外部电阻分压器一般用于设置可调器件的输出电压。利用可调 LDO 可以设置输出，以提供内部参考电压，其一般为 1.2V 左右，只需把输出连接到反馈引脚。请与厂商确认是否具备该功能。